北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司郭赞武获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种阵列基板、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116594234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310637203.0，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权一种阵列基板、显示面板和显示装置是由郭赞武;张勇;杨智超;邓祁;王德生;乜玲芳;张秋阳设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括：衬底基板和位于衬底基板之上的多个像素单元。各像素单元包括薄膜晶体管和像素电极；像素电极位于薄膜晶体管背离衬底基板的一侧；像素电极与薄膜晶体管之间设置有钝化绝缘层，像素电极与薄膜晶体管的漏电极通过贯穿钝化绝缘层的过孔电连接。阵列基板还包括公共电极线，位于漏电极背离像素电极的一侧；公共电极线与像素电极重叠的部分形成存储电容；过孔在衬底基板上的正投影与公共电极线在衬底基板上的正投影不重叠，可以避免漏电极与公共电极线短路，降低点线不良发生的概率。
本发明授权一种阵列基板、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 多个像素单元，位于所述衬底基板之上；各所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极；所述像素电极位于薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧；所述像素电极与所述薄膜晶体管之间设置有钝化绝缘层，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极通过贯穿所述钝化绝缘层的过孔电连接；所述薄膜晶体管的源电极和所述薄膜晶体管的漏电极分别位于所述薄膜晶体管的有源层的两侧； 公共电极线，位于所述漏电极背离所述像素电极的一侧；所述公共电极线与所述像素电极重叠的部分形成存储电容；所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影不重叠；所述漏电极在所述衬底基板上的正投影与所述公共电极线在所述阵列基板上的正投影具有部分重叠区域。
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