长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、堆叠结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310633016.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、堆叠结构及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、堆叠结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构、堆叠结构及其制备方法，半导体结构包括第一拉力层、第二拉力层、浮体结构、位于浮体结构沿竖直方向相对两侧的源极结构与漏极结构，以及位于浮体结构沿第一方向的一侧的第一栅极结构；其中，第一拉力层覆盖第一栅极结构的顶面及沿第一方向远离浮体结构的表面；第二拉力层覆盖浮体结构沿第一方向远离第一栅极结构的表面。上述半导体结构能够增加浮体结构中空穴的寿命并减小漏电流，还能够提高感测裕度，降低数据读取过程的误码率，提高存储性能。
本发明授权半导体结构、堆叠结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一拉力层、第二拉力层、浮体结构、位于所述浮体结构沿竖直方向相对两侧的源极结构与漏极结构，以及位于所述浮体结构沿第一方向的一侧的第一栅极结构； 其中，所述第一拉力层覆盖所述第一栅极结构的顶面及沿所述第一方向远离所述浮体结构的表面；所述第二拉力层覆盖所述浮体结构沿所述第一方向远离所述第一栅极结构的表面； 所述浮体结构包括沿所述第一方向排布且相互邻接的第一浮体部、第二浮体部；所述第一浮体部的顶面高于所述第二浮体部的顶面； 所述第一浮体部的底面连接所述源极结构且顶面连接所述漏极结构，所述第一栅极结构位于所述第一浮体结构沿所述第一方向的一侧，所述第二浮体部的底面连接所述源极结构； 所述半导体结构还包括第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述第一浮体部沿所述第一方向的另一侧还位于所述第二浮体部上； 其中，所述第二栅极结构的顶面不高于所述第一浮体部的顶面。
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