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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利数据缓冲结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119068947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310621397.5，技术领域涉及：G11C11/4093；该发明授权数据缓冲结构及存储器是由徐迪恺设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本数据缓冲结构及存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种数据缓冲结构及存储器，包括：多个级联的数据缓冲单元，每一数据缓冲单元包括：第一采样电路，被配置为，基于时钟信号驱动，并基于输入信号和参考信号，生成采样信号和互补采样信号；第二采样电路，被配置为，基于采样信号和互补采样信号，生成数据信号和互补数据信号；均衡反馈电路，被配置为，基于前一级数据缓冲单元输出的数据信号和互补数据信号，反馈调节采样信号和互补采样信号，以减弱相邻数据信号之间的码间干扰；补偿电路，连接第一采样电路，被配置为，基于时钟信号为采样信号和互补采样信号的传输线路预充电，以优化DFE开启后的临界比较时间，从而提高数字眼图的对称性。

本发明授权数据缓冲结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种数据缓冲结构，其特征在于，包括：多个级联的数据缓冲单元，每一所述数据缓冲单元包括： 第一采样电路，被配置为，基于时钟信号驱动，并基于输入信号和参考信号，生成采样信号和互补采样信号；其中，若所述输入信号的电位大于所述参考信号的电位，则生成的所述互补采样信号的电位大于所述采样信号的电位，若所述参考信号的电位大于所述输入信号的电位，则生成的所述采样信号的电位大于所述互补采样信号的电位； 第二采样电路，被配置为，基于所述采样信号和所述互补采样信号，生成数据信号和互补数据信号；其中，若所述采样信号的电位大于所述互补采样信号的电位，则生成的所述互补数据信号的电位大于所述数据信号的电位，若所述互补采样信号的电位大于所述采样信号的电位，则生成的所述数据信号的电位大于所述互补数据信号的电位； 均衡反馈电路，被配置为，基于前一级所述数据缓冲单元输出的所述数据信号和所述互补数据信号，反馈调节所述采样信号和所述互补采样信号，以减弱相邻所述输入信号之间的码间干扰； 补偿电路，连接所述第一采样电路，被配置为，基于所述时钟信号为所述采样信号和所述互补采样信号的传输线路预充电； 所述第一采样电路，包括： 第一开关晶体管，第一端子用于接收第一电源信号，控制端用于接收所述时钟信号； 第一P型晶体管，第一端子耦接所述第一开关晶体管的第二端子，控制端用于接收所述输入信号； 第二P型晶体管，第一端子耦接所述第一开关晶体管的第二端子，控制端用于接收所述参考信号； 第一N型晶体管，第一端子耦接所述第一P型晶体管的第二端子，并用于输出所述采样信号，第二端子用于接收第二电源信号，控制端用于接收所述时钟信号； 第二N型晶体管，第一端子耦接所述第二P型晶体管的第二端子，并用于输出所述互补采样信号，第二端子用于接收所述第二电源信号，控制端用于接收所述时钟信号； 其中，所述第一电源信号提供的电源电压大于所述第二电源信号提供的电源电压； 所述补偿电路，包括：第一预充电晶体管，第一端子用于接收第三电源信号，第二端子耦接所述第一N型晶体管的第一端子，控制端用于接收所述时钟信号，所述第一预充电晶体管为P型晶体管；第二预充电晶体管，第一端子用于接收所述第三电源信号，第二端子耦接所述第二N型晶体管的第一端子，控制端用于接收所述时钟信号，所述第二预充电晶体管为P型晶体管；所述第三电源信号提供的电源电压大于所述第二电源信号提供的电源电压。

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