长鑫存储技术有限公司李晓杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119072118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310619051.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李晓杰设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决相邻位线之间发生漏电的技术问题，该半导体结构的制备方法包括：在基底内形成沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个有源柱，第一方向与第二方向相交，均与有源柱的延伸方向相互垂直；形成多个位线沟槽，以及用于分隔各个位线沟槽的位线隔离结构；其中，每个位线沟槽暴露出多个沿第二方向排布的所述有源柱的外周面，且位线沟槽的槽底高于位线隔离结构的底面；在每个位线沟槽内形成位线，位线沿所述第二方向延伸，并包裹多个沿第二方向排布的有源柱的至少部分外周面。本公开用于增加位线隔离结构的高度，进而防止相邻的位线发生漏电。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括如下步骤： 提供基底，在所述基底内形成沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个有源柱，所述第一方向与所述第二方向相交，且所述第一方向与所述第二方向均与所述有源柱的延伸方向相互垂直； 形成多个位线沟槽，以及用于分隔各个所述位线沟槽的位线隔离结构，多个所述位线沟槽沿第一方向间隔设置，并沿所述第二方向延伸；其中，每个所述位线沟槽暴露出多个沿所述第二方向排布的所述有源柱的外周面，且所述位线沟槽的槽底高于所述位线隔离结构的底面； 在每个所述位线沟槽内形成位线，所述位线沿所述第二方向延伸，并包裹多个沿所述第二方向排布的所述有源柱的至少部分外周面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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