长鑫存储技术有限公司石恒荣获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310613195.6，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权一种半导体结构是由石恒荣设计研发完成，并于2023-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构，半导体结构包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括第一信号重布线；第二芯片焊接在第一芯片上，第二芯片包括第一电源重布线；其中，第一电源重布线与第一信号重布线相对设置，且第一电源重布线在第一芯片的投影区至少覆盖部分第一信号重布线。本公开提供的半导体结构，第二芯片上的第一电源重布线在第一芯片上的投影覆盖第一信号重布线的至少部分结构，因此第一电源重布线能够为第一信号重布线提供参考平面，可以有效提高半导体结构的信号完整性。
本发明授权一种半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 第一芯片，包括第一信号重布线； 第二芯片，焊接在所述第一芯片上，所述第二芯片包括第一电源重布线； 其中，所述第一电源重布线与所述第一信号重布线相对设置，且所述第一电源重布线在所述第一芯片的投影区至少覆盖部分所述第一信号重布线； 其中，所述第一芯片还包括与所述第一电源重布线对应的第二电源重布线，所述第二电源重布线与所述第一信号重布线沿第一方向穿插排布设置，所述第一电源重布线在所述第一芯片的投影区覆盖与该第一电源重布线对应的第二电源重布线相邻的所述第一信号重布线的至少部分结构； 其中，所述第一电源重布线包括沿第二方向延伸的电源重布线本体以及自所述电源重布线本体的至少一侧向所述第一方向延伸的延伸部，所述延伸部在所述第一芯片的投影区覆盖与该第一电源重布线对应的第二电源重布线相邻的所述第一信号重布线的部分结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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