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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116752096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310561164.0，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置是由唐述杰;贾旭超;郭志强;李卓君设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底，使其升温至材料生长目标温度；S3：打开双温区热蒸发源的挡板，再开启准分子激光器，利用248nmKrF准分子脉冲激光轰击过渡金属元素靶材，实现TMDC材料的近常压生长，利用两级差分反射式高能电子衍射仪进行实时监测。本发明提供了一种新的TMDC材料制备思路，改进MBE设备的主体构造，增加薄膜生长控制的两个新维度：压力与氛围，实现了TMDC材料的近常压生长。

本发明授权一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置在权利要求书中公布了：1.一种TMDC材料的近常压生长方法，其特征在于，在一种MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，所述MBE装置包括：MBE腔体；用于放置样品的五维样品台；两级真空泵系统，通过机械泵与分子泵获得超高真空背景压力；双温区热蒸发源，采用坩埚底和坩埚口双温区以提高源材料的有效束流；准分子激光器，使用248nmKrF准分子脉冲激光轰击相应靶材；气路连接口，所述气路连接口通过漏阀将气路与MBE腔体连接，可向MBE腔体内通入氩气、氢气、或氧气，实现腔体内10-7Pa~10kPa近常压下可调的惰性、还原性、或氧化性氛围；光纤耦合激光加热装置，对衬底进行局域加热，升降温速率可调；以及两级差分反射式高能电子衍射仪，以实现TMDC材料近常压生长的实时监测；所述近常压生长方法包括以下步骤： S1：通入氛围气体：通入氛围气体前关闭MBE腔体与分子泵之间的插板阀，使MBE腔体成为一个完全密闭的、且真空度10-9的空间，确保腔体内环境的洁净度，然后通入纯净的氩气、氢气、或氧气，实现腔体内10-7Pa~10kPa近常压下可调的惰性、还原性、或氧化性氛围，达到目标气压时关闭漏阀停止注入； S2：使用光纤耦合激光加热器加热目标衬底，使其升温至对应TMDC材料生长目标温度； S3：待所述目标衬底到达目标温度后，打开用于提供硫族元素的双温区热蒸发源的挡板，再开启准分子激光器，利用248nmKrF准分子脉冲激光轰击过渡金属元素靶材，从而实现TMDC材料在10-7Pa~10kPa范围内的近常压生长，在生长过程中利用两级差分反射式高能电子衍射仪进行TMDC材料生长的实时监测，并通过双温区热蒸发源与所述MBE腔体之间的一维线性驱动控制热蒸发源出口与衬底的距离，以减少高压力下分子束流自由程降低以及散射带来的负面影响。

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