长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、存储器和存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310580467.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、存储器和存储器的制造方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、存储器和存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、存储器和存储器的制造方法，半导体结构包括：晶体管，包括：栅极结构以及在第一方向依次排布的第一源漏区、第一轻掺杂区、沟道区、第二轻掺杂区和第二源漏区；在第二方向上，第一轻掺杂区和第二轻掺杂区的相对两侧均相对于沟道区、第一源漏区和第二源漏区的相对两侧呈凸出设置；栅极结构位于凸出的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区之间，并位于沟道区在第二方向的相对两侧；第一方向与第二方向相交。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构、存储器和存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：晶体管，包括： 栅极结构以及在第一方向依次排布的第一源漏区、第一轻掺杂区、沟道区、第二轻掺杂区和第二源漏区； 在第二方向上，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的相对两侧均相对于所述沟道区、所述第一源漏区和所述第二源漏区的相对两侧呈凸出设置；所述栅极结构位于凸出的所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区之间，并位于所述沟道区在所述第二方向的相对两侧；所述第一方向与所述第二方向相交。
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