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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116582997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310557621.9，技术领域涉及：H05H7/08；该发明授权一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源是由张贺;王景峰;贾先禄;农竹杰;丁傲轩;郑侠;凌丽;贾心琦;颜利华;方明阳;马楚韵设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源，包括：离子源灯丝、离子源上盖板、离子源灯丝杆、离子源内腔体、离子源外腔体、位于离子源内腔体和离子源外腔体之间的永磁铁阵列、离子源引出结构、位于该永磁铁阵列第二层和最底层以及离子源引出结构的离子源复合结构过滤场；所述离子源复合结构过滤场为磁场增厚设计的离子源复合结构过滤场，该磁场增厚设计的复合结构过滤场在过滤场最高点叠加磁场且过滤快电子；所述离子源灯丝为螺旋状四灯丝结构；所述离子源引出结构为在40kV高压下引出高于30mA负氢流强的离子源引出结构；本发明通过增强磁场强度、增厚磁场厚度的方法，解决了现有技术因为过滤磁场偏薄、偏小、导致产额不能提高的问题。

本发明授权一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源在权利要求书中公布了：1.一种长寿命多灯丝强流负氢多峰场离子源1，其从上至下从外到内包括：离子源灯丝2、灯丝离子源上盖板1-1、离子源灯丝座1-2、离子源内腔体1-3、离子源外腔体1-4、位于离子源内腔体1-3和离子源外腔体1-4之间的永磁铁阵列3、离子源引出结构4、位于该永磁铁阵列3第二层和最底层以及离子源引出结构（4）的离子源复合结构过滤场； 所述离子源灯丝2用于产生直流电场，其外接稳流源，大电流经由位于离子源灯丝座1-2上的离子源灯丝2相连接，使得离子源灯丝2受热离子源发射电子；所述离子源灯丝2受热所发射的电子在加于灯丝离子源上盖板1-1的弧压作用下，与通入离子源的氢气发生碰撞产生负氢离子； 所述永磁铁阵列3用于提供离子源内腔体（1-3）的约束磁场；该永磁铁阵列3包括沿着圆周方向间隔布设的、从顶层到底层的径向磁铁阵列和切向磁铁阵列，以及最后一层过滤磁铁阵列3-1； 所述离子源复合结构过滤场用于形成复合的横向磁场进而过滤掉快电子，该离子源复合结构过滤场由过滤磁铁阵列3-1和引出结构吸极磁铁4-3组成； 其特征在于：所述离子源复合结构过滤场为磁场增厚设计的离子源复合结构过滤场，该磁场增厚设计的复合结构过滤场在过滤场最高点叠加磁场且过滤快电子；所述离子源灯丝（2）为螺旋状四灯丝结构；所述离子源引出结构4为在40kV高压下引出高于30mA负氢流强的离子源引出结构； 所述过滤磁铁阵列3-1增厚过滤磁场在轴向的分布，是指永磁铁阵列3从上到下的第二层处，也就是灯丝位置处，加入相反极性的切向磁铁b4和切向磁铁b5以增厚过滤场，过滤磁场在轴向分布的厚度为100mm； 所述过滤磁铁阵列3-1用于将过滤磁场最高处的位置调整于等离子体电极之前、使得快电子在到达引出结构之前被充分过滤掉、且过滤磁铁阵列3-1还用于增厚过滤磁场在轴向的分布； 具体为：将过滤磁铁阵列3-1最底层中间的径向磁铁和其两侧的切向磁铁同极性并抬高、使得引出区吸极磁铁（4-3）形成的磁场和过滤磁铁阵列3-1最底层中间以及两侧同极性并抬高以后形成的磁铁磁场叠加，从而实现在叠加磁场的最高点形成过滤磁场； 吸极磁铁4-3分上下两层布设在吸极4-2的中间，每一层为相互倾斜的一对永磁体，当上层的一对吸极磁铁4-3的磁场方向和腔体内的过滤磁铁阵列3-1的磁场方向一致时，则满足了磁场叠加的条件之一；磁场叠加的条件之二是将两个磁场的叠加达到叠加最好的状态，而决定两个磁场的叠加达到叠加最好的状态取决于等离子体电极4-1的厚度、以及吸极4-2到等离子体电极4-1的轴向距离；所述等离子体电极4-1厚度为3mm，所述吸极4-2与等离子体电极4-1轴向距离为4mm。

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