长鑫存储技术有限公司符玉绒获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310562718.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由符玉绒;李浩然;杨志;赵地设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：公开一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底包括阵列区以及外围区，阵列区设置有第一导电结构，外围区设置有第二导电结构；第一介质层，第一介质层覆盖第一导电结构以及第二导电结构；第二介质层，第二介质层位于外围区，且覆盖第一介质层；其中，第一介质层的材料与第二介质层的材料不同；连接结构，连接结构位于外围区，连接结构包括相连接的第一部以及第二部，第一部穿过第二介质层和第一介质层与第二导电结构的顶表面电接触，第二部位于第二介质层上；电容结构，电容结构位于阵列区，电容结构穿过第一介质层与第一导电结构的顶表面电接触。本公开实施例所提供的半导体结构及其制备方法至少可以简化制备半导体结构的工艺步骤。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括阵列区以及外围区，所述阵列区设置有第一导电结构，所述外围区设置有第二导电结构； 第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一导电结构以及所述第二导电结构； 第二介质层，所述第二介质层位于所述外围区，且覆盖所述第一介质层；其中，所述第一介质层的材料与所述第二介质层的材料不同； 连接结构，所述连接结构位于所述外围区，所述连接结构包括相连接的第一部以及第二部，所述第一部穿过所述第二介质层和所述第一介质层与所述第二导电结构的顶表面电接触，所述第二部位于所述第二介质层上； 电容结构，所述电容结构位于所述阵列区，所述电容结构穿过所述第一介质层与所述第一导电结构的顶表面电接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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