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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310450520.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法、存储器是由高王荣;吕嘉伟设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，形成方法包括：形成包括衬底、字线结构以及栅极结构的初始半导体结构，衬底包括阵列区和外围区，字线结构由阵列区延伸至外围区；字线结构包括第一导电层、第二导电层及字线盖层；形成露出外围区的第一导电层的开口；形成覆盖开口和栅极结构的第一绝缘层；形成填满开口的第二绝缘层，第二绝缘层的顶表面与位于栅极结构的顶表面上的第一绝缘层的顶表面齐平；在第二绝缘层和第一绝缘层共同构成的结构的表面形成第三绝缘层；蚀刻第三绝缘层、第二绝缘层、第一绝缘层，以形成第一接触孔和第二接触孔；在第一接触孔内形成第一接触插塞，在第二接触孔内形成第二接触插塞。

本发明授权半导体结构及其形成方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底、字线结构以及栅极结构，所述衬底包括阵列区和外围区，所述字线结构位于所述衬底内，且由所述阵列区延伸至所述外围区；所述字线结构包括沿垂直于所述衬底的方向自下而上依次堆叠分布的第一导电层、第二导电层及字线盖层，所述栅极结构位于所述外围区； 刻蚀位于所述外围区的所述字线盖层和所述第二导电层，以在所述外围区形成露出所述第一导电层的开口； 形成随形覆盖所述开口和所述栅极结构的第一绝缘层； 形成第二绝缘层，所述第二绝缘层填满所述开口，且所述第二绝缘层的顶表面与位于所述栅极结构的顶表面上的所述第一绝缘层的顶表面齐平； 在所述第二绝缘层和位于所述栅极结构的顶表面上的所述第一绝缘层的顶表面形成第三绝缘层； 蚀刻所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层，以形成露出位于所述外围区的所述第一导电层的第一接触孔以及露出位于所述栅极结构的一侧的衬底的第二接触孔； 在所述第一接触孔内形成第一接触插塞，并在所述第二接触孔内形成第二接触插塞。

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