长鑫存储技术有限公司徐朋辉获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310445206.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由徐朋辉;刘涛;李森;占康澍;宛强设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构制备方法包括：提供基底；于所述基底上形成牺牲层以及电容支撑层；刻蚀所述牺牲层以及所述电容支撑层至所述基底，形成多个电容孔；于所述电容孔内形成第一电极，且灰化去除所述牺牲层。本发明的半导体结构的制备方法中，通过灰化去除牺牲层，减少对第一电极的损伤，从而保护了第一电极，延长了电容器的使用寿命。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供基底； 于所述基底上形成牺牲层以及电容支撑层； 刻蚀所述牺牲层以及所述电容支撑层至所述基底，形成多个电容孔； 于所述电容孔内形成第一电极，且灰化去除所述牺牲层； 所述电容支撑层包括氧化物支撑层； 于所述电容孔内形成第一电极，且灰化去除所述牺牲层，包括： 于所述电容孔内填充所述第一电极； 于位于顶层的所述氧化物支撑层上表面以及所述第一电极上表面形成支撑增强层； 于所述支撑增强层以及各所述氧化物支撑层中形成开口，且自所述开口去除所述牺牲层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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