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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利套刻误差补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310436867.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差补偿方法是由刘巍巍;张阳设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻误差补偿方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种套刻误差补偿方法，涉及半导体技术领域，用于解决套刻误差的准确性差的技术问题。该套刻误差的修正方法包括：获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对于目标层的第一对准标记的第一套刻误差值；获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对目标层的第二对准标记的第二套刻误差值，其中，第一对准标记与第二对准标记间隔排布；根据第一套刻误差值和第二套刻误差值，确定晶圆的待处理层的第三对准标记相对于第一对准标记和第二对准标记的实际套刻误差值；根据实际套刻误差值，分别对第一套刻误差值和第二套刻误差值进行补偿。本公开能够保证待处理层的第三对准标记均能与目标层的第一对准标记和第二对准标记对准。

本发明授权套刻误差补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，包括： 获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对于目标层的第一对准标记的第一套刻误差值； 获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对所述目标层的第二对准标记的第二套刻误差值，其中，所述第一对准标记与所述第二对准标记间隔排布； 根据所述第一套刻误差值和所述第二套刻误差值，确定所述晶圆的待处理层的所述第三对准标记相对于所述第一对准标记和所述第二对准标记的实际套刻误差值； 根据所述实际套刻误差值，分别对所述第一套刻误差值和所述第二套刻误差值进行补偿； 其中，根据所述第一套刻误差值和所述第二套刻误差值，确定所述晶圆的待处理层的所述第三对准标记相对于所述第一对准标记和所述第二对准标记的实际套刻误差值，包括： 获取第一权重系数和第二权重系数； 根据所述第一套刻误差值与所述第一权重系数的乘积和所述第二套刻误差值与所述第二权重系数的乘积之和，与，所述第一权重系数和所述第二权重系数之和的差值，确定所述实际套刻误差值； 其中，所述实际套刻误差值的计算公式如下： 其中，OVLC-LELE为实际套刻误差值，OVLC-LEA为第一套刻误差值，OVLC-LEB为第二套刻误差值，p为第一权重系数，m为第二权重系数。

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