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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310431239.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘翔设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：支撑衬底；阵列结构，位于支撑衬底上，包括沿第一方向间隔排布的多个有源行，每个有源行中包括沿第二方向间隔排布的多个有源柱，沿第一方向相邻的两个有源行中的有源柱错开设置；第一信号线结构，位于支撑衬底上，包括沿第一方向间隔排布且沿第二方向延伸的多条第一信号线，每条第一信号线电连接相邻的两个有源行中的有源柱；第二信号线结构，位于第一信号线结构的上方，包括沿第二方向间隔排布且沿第一方向延伸的多条第二信号线，每条第二信号线电连接沿第一方向对准排布的多个有源柱。本公开简化了半导体结构的制造工艺，并改善了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 支撑衬底； 阵列结构，位于所述支撑衬底的顶面上，包括沿第一方向间隔排布的多个有源行，每个所述有源行中包括沿第二方向间隔排布的多个有源柱，沿所述第一方向相邻的两个所述有源行中的所述有源柱错开设置，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述支撑衬底的顶面，且所述第一方向与所述第二方向相交； 第一信号线结构，位于所述支撑衬底的上方，包括沿所述第一方向间隔排布且沿所述第二方向延伸的多条第一信号线，每条所述第一信号线电连接沿所述第一方向相邻的两个所述有源行中的所述有源柱； 第二信号线结构，位于所述第一信号线结构的上方，包括沿所述第二方向间隔排布且沿所述第一方向延伸的多条第二信号线，每条所述第二信号线电连接沿所述第一方向对准排布的多个所述有源柱； 所述第一信号线为字线，所述第一信号线结构为字线结构，所述第二信号线为位线，所述第二信号线结构为位线结构； 第一隔离层，位于沿所述第一方向相邻的两条所述字线之间，所述第一隔离层内具有空气隙； 与同一条所述字线电连接的两个所述有源行沿所述第一方向的间隔宽度为第一宽度，所述第一隔离层沿所述第一方向的宽度为第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度。

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