长鑫存储技术有限公司李思嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310429229.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法、存储器是由李思嘉;唐怡;王艳琴;尤康设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，该半导体结构包括衬底、多个沟道层、栅氧化层以及栅电极层，其中：多个沟道层位于衬底上，并沿垂直方向层叠分布，且至少部分沟道层的至少一侧壁的表面为曲面；栅氧化层随形覆盖沟道层的侧壁；栅电极层至少覆盖栅氧化层的表面。本公开的半导体结构可增加开启电流，提高栅电极层对沟道的调控能力。
本发明授权半导体结构及其形成方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的多个沟道层，多个所述沟道层沿垂直方向层叠分布，且至少部分所述沟道层的至少一侧壁的表面为曲面； 栅氧化层，随形覆盖所述沟道层的侧壁； 栅电极层，至少覆盖所述栅氧化层的表面； 其中，所述半导体结构还包括： 多个介质层，在垂直方向上，所述介质层分别位于相邻的两个所述沟道层之间、所述衬底与底部的所述沟道层之间以及顶部的所述沟道层的表面； 保护层，位于顶部的所述介质层上方。
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