买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116528449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310396060.9，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源是由贾先禄;农竹杰;张贺;丁傲轩;李鹏展;郑侠;凌丽;管锋平;侯世刚设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源，包括：离子源内置式射频天线、射频天线上盖板、内腔体、外腔体、位于内腔体和外腔体之间的永磁铁阵列、离子源引出结构、位于该永磁铁阵列底层和离子源引出结构的离子源复合结构过滤场，特点是：所述离子源内置式射频天线为带有搪瓷涂层的能够实现等离子体鞘层无电位的内置式射频天线；所述复合结构过滤场为在过滤场最高点叠加磁场以过滤快电子的复合结构过滤场；所述离子源引出结构为在60kV高压下引出高于100mA负氢流强的离子源引出结构。本发明实现了负氢离子高产额引出，解决了高产额引出遇到的内置天线寿命相对短、负氢离子产生空间受到局限性、多峰场虚拟过滤场磁场偏小的瓶颈问题。

本发明授权一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源在权利要求书中公布了：1.一种脉冲模式多峰场内置天线式射频强流负氢离子源（1），其从上至下从外到内包括：离子源内置式射频天线（2）、离子源内置式射频天线上盖板（1-1）、离子源内腔体（1-2）、离子源外腔体（1-3）、位于离子源内腔体（1-2）和离子源外腔体（1-3）之间的永磁铁阵列（3）、离子源引出结构（4）、位于该永磁铁阵列底层和离子源引出结构的离子源复合结构过滤场，该离子源复合结构过滤场由过滤磁铁阵列（3-1）和离子源引出结构的吸极磁铁（4-3）组成；所述离子源内置式射频天线（2）外接双频驱动系统，该双频驱动系统经由阻抗匹配及隔离系统与位于上盖板的内置式射频天线（2）相连接、将其射频功率通过内置式射频天线（2）耦合到离子源内腔体（1-2）；所述离子源内置式射频天线（2）用于产生涡旋电场、使得空气中残存的自由电子在该电场的作用下与通入离子源的氢气发生碰撞产生负氢离子；所述永磁铁阵列（3）用于提供离子源内腔体（1-2）的约束磁场；所述离子源复合结构过滤场用于分别形成横向磁场进而过滤快电子和过滤慢电子； 其特征在于：所述离子源内置式射频天线（2）为带有搪瓷涂层的能够实现等离子体鞘层无电位的内置式射频天线；所述复合结构过滤场为在过滤场最高点叠加磁场以过滤快电子的复合结构过滤场；所述离子源引出结构（4）为在60kV高压下引出高于100mA负氢流强的离子源引出结构； 所述过滤磁铁阵列（3-1）用于将场强最高处的位置调整于等离子体电极之前、使得快电子在到达引出结构之前被充分过滤掉、且过滤磁场在轴向分布的厚度适中；该过滤磁铁阵列（3-1）设有将永磁铁阵列（3）最底层的两条相对的径向磁铁替换为极性翻转的径向磁铁b1，以及在极性翻转后的径向磁铁b1两侧加入相同极性的切向磁铁b2和切向磁铁（b3，抬高该径向磁铁b1、切向磁铁b2、切向磁铁b3与底面的距离，使得该抬高的距离为8mm； 所述离子源引出结构（4）用于在场强最高处和所述过滤磁铁阵列（3-1）形成叠加磁场过滤掉等离子体电极之前的快电子，具体为：该离子源引出结构（4）包括等离子体电极（4-1）、吸极（4-2）、吸极磁铁（4-3），该吸极（4-2）中间嵌入上下两对相对而设的八字形45度倾角的吸极磁铁（4-3），上层的一对相对而设的八字形45度倾角的吸极磁铁（4-3），它们各自一个方向的磁场分量方向和所述过滤磁铁阵列（3-1）的过滤磁场方向一致、并且两个磁场叠加在一起，由此形成过滤快电子的叠加磁场； 所述吸极（4-2）与等离子体电极（4-1）轴向距离为3.5mm，所述等离子体电极（4-1）厚度为4mm， 所述等离子体电极（4-1）用于接收待引出的粒子并让粒子从中间的开孔中通过、且开孔的入口侧设有一张角倾斜面，该张角倾斜面上表面镀有参硼金刚石薄膜，该张角倾斜面用于负氢离子的面产生。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国原子能科学研究院，其通讯地址为：102413 北京市房山区新镇北坊；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。