长鑫存储技术有限公司于业笑获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118829191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310390877.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及其结构是由于业笑;刘忠明;崔静思;熊国宝;赵彬设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及其结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个沿第一方向以及第二方向间隔排布的位线接触结构；形成电容接触结构，电容接触结构位于衬底上且与位线接触结构相间隔；形成沿第二方向延伸的位线结构，位线结构与沿第二方向排布的位线接触结构接触连接，且位线结构与电容接触结构间隔，可以提出一种新的半导体结构的制作方法。
本发明授权半导体结构的制作方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于， 包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成多个沿第一方向以及第二方向间隔排布的位线接触结构； 形成电容接触结构，所述电容接触结构位于所述衬底上且与所述位线接触结构相间隔； 形成沿所述第二方向延伸的位线结构，所述位线结构与沿所述第二方向排布的所述位线接触结构接触连接，且所述位线结构与所述电容接触结构间隔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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