长鑫存储技术有限公司刘晓阳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118829193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310390890.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由刘晓阳设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：具有相对的第一面和第二面的第一晶圆，第一晶圆包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极的顶面与第一面齐平，第一栅极的顶面高于第一源极的顶面，第一漏极位于第一栅极靠近第二面的一侧；具有相对的第三面和第四面的第二晶圆，第四面与第一面正对且相键合，第二晶圆包括第二栅极、第二源极和第二漏极，第二源极更靠近第三面，第二栅极的顶面低于第二源极的底面，第二漏极与第一栅极电连接。可以提供一种新的2T0C的半导体结构。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 具有相对的第一面和第二面的第一晶圆，所述第一晶圆包括第一晶体管、第一字线和第一位线，所述第一晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极远离所述第二面的顶面与所述第一面齐平，所述第一栅极的顶面高于所述第一源极的顶面，所述第一漏极位于所述第一栅极靠近所述第二面的一侧，所述第一字线与所述第一源极连接，所述第一位线与所述第一漏极连接，且所述第一位线位于所述第一字线靠近所述第二面的一侧； 具有相对的第三面和第四面的第二晶圆，所述第四面与所述第一面正对且相键合，所述第二晶圆包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极相较于所述第二漏极更靠近所述第三面，所述第二栅极的顶面低于所述第二源极的底面，所述第二漏极与所述第一栅极电连接。
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