长鑫存储技术有限公司李锦涛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118742011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310304252.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李锦涛;周钜凯设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有沿第一方向间隔排布的导电立柱；向相邻导电立柱之间的间隙通入反应前体，以形成初始阻挡层；向间隙通入预设工艺气体，以使得初始阻挡层变为中间阻挡层；其中，在相同的湿法刻蚀条件下，中间阻挡层的刻蚀速率小于初始阻挡层的刻蚀速率，在相同的干法刻蚀条件下，中间阻挡层的刻蚀速率等于初始阻挡层的刻蚀速率；去除相邻导电立柱之间的衬底及部分中间阻挡层，剩余的中间阻挡层构成目标阻挡层，目标阻挡层的厚度位于预设厚度范围内。上述制备方法不仅能够提高目标阻挡层的薄膜质量，还能够改善位线接触结构中的短路现象，从而提高半导体产品的良率。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，所述衬底上形成有沿第一方向间隔排布的导电立柱； 向相邻所述导电立柱之间的间隙通入反应前体，以在所述导电立柱的外侧壁形成初始阻挡层； 向所述间隙通入预设工艺气体，以使得所述初始阻挡层变为中间阻挡层；其中，在相同的湿法刻蚀条件下，所述中间阻挡层的刻蚀速率小于所述初始阻挡层的刻蚀速率，在相同的干法刻蚀条件下，所述中间阻挡层的刻蚀速率等于所述初始阻挡层的刻蚀速率； 去除相邻所述导电立柱之间的衬底及部分所述中间阻挡层，剩余的中间阻挡层构成目标阻挡层，所述目标阻挡层的厚度位于预设厚度范围内； 向所述间隙通入预设工艺气体，以使得所述初始阻挡层变为中间阻挡层，包括： 向所述间隙通入预设工艺气体，所述预设工艺气体与所述初始阻挡层中的杂质离子反应，至少去除部分所述初始阻挡层中的杂质离子，以使得所述初始阻挡层变为中间阻挡层。
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