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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电路结构及其控制方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118737222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310296108.9，技术领域涉及：G11C11/40；该发明授权电路结构及其控制方法、存储器是由王超设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本电路结构及其控制方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种电路结构及其控制方法、存储器，电路结构包括第一控制线、第二控制线、第三控制线、第四控制线、第一电路和第二电路，其中：第一控制线和第二控制线间隔排布；第三控制线位于第二控制线向远离第一控制线的一侧，且包括相互连接的第一连接线和第二连接线；第四控制线包括相互连接的第三连接线和第四连接线，第一连接线位于第二控制线与第三连接线之间，第四连接线位于第二控制线与第二连接线之间；第一电路连接第一控制线、第三控制线和第四控制线；第二电路连接第二控制线、第三控制线和第四控制线。本公开的电路结构可降低控制线被误选中的概率，提高产品良率。

本发明授权电路结构及其控制方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种电路结构，其特征在于，包括： 第一控制线和第二控制线，所述第一控制线和所述第二控制线均沿第一方向延伸，并沿第二方向间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交； 第三控制线，位于所述第二控制线向远离所述第一控制线的一侧，且包括相互连接的第一连接线和第二连接线，所述第一连接线和所述第二连接线均沿所述第一方向延伸； 第四控制线，包括相互连接的第三连接线和第四连接线，所述第一连接线位于所述第二控制线与所述第三连接线之间，所述第四连接线位于所述第二控制线与所述第二连接线之间，所述第三连接线和所述第四连接线均沿所述第一方向延伸； 第一电路，连接所述第一控制线、所述第三控制线和所述第四控制线； 第二电路，连接所述第二控制线、所述第三控制线和所述第四控制线； 所述第一电路包括： 第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的源极与所述第三控制线电连接，所述第一P型晶体管的漏极与控制信号输出端电连接，所述第一P型晶体管的控制端与所述第一控制线电连接； 第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的源极接地，所述第一N型晶体管的漏极与所述控制信号输出端电连接，所述第一N型晶体管的控制端与所述第一控制线电连接； 第二N型晶体管，所述第二N型晶体管的源极接地，所述第二N型晶体管的漏极与所述控制信号输出端电连接，所述第二N型晶体管的控制端与所述第四控制线电连接； 所述第二电路包括： 第二P型晶体管，所述第二P型晶体管的源极与所述第三控制线电连接，所述第二P型晶体管的漏极与控制信号输出端电连接，所述第二P型晶体管的控制端与所述第二控制线电连接； 第三N型晶体管，所述第三N型晶体管的源极接地，所述第三N型晶体管的漏极与所述控制信号输出端电连接，所述第三N型晶体管的控制端与所述第二控制线电连接； 第四N型晶体管，所述第四N型晶体管的源极接地，所述第四N型晶体管的漏极与所述控制信号输出端电连接，所述第四N型晶体管的控制端与所述第四控制线电连接。

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