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清华大学;华为技术有限公司吴珏键获国家专利权

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龙图腾网获悉清华大学;华为技术有限公司申请的专利基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118692537B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310282434.4,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备是由吴珏键;李学清;钟宏涛;马啸阳;李泰昕;王翠翠;莫道春;刘勇攀;杨华中设计研发完成,并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备在说明书摘要公布了:本公开涉及一种基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备,所述存储器包括:多个存储单元,每个存储单元为:第一开关的第二端、第二开关的第二端分别连接于第一电容的第一端、第二电容的第一端,第一电容的第二端、第三电容的第一端、第一晶体管的栅极均连接于第一节点,第二电容的第二端、第四电容的第一端、第二晶体管的栅极均连接于第二节点,其中,第一电容和第三电容至少有一个是铁电电容,第二电容和第四电容至少有一个是铁电电容;控制单元,用于:输入控制信号以控制存储单元执行目标操作。本公开实施例实现了数据的非破坏性读取,提高了存储器的使用寿命,并且降低了操作的延时和能耗。

本发明授权基于铁电电容的非易失内容寻址存储器、电子设备在权利要求书中公布了:1.一种基于铁电电容的非易失内容寻址存储器,其特征在于,所述存储器包括: 多个存储单元,每个存储单元包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一开关、第二开关、第一晶体管和第二晶体管,所述第一开关的第二端、所述第二开关的第二端分别连接于所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端,所述第一电容的第二端、所述第三电容的第一端、所述第一晶体管的栅极均连接于第一节点,所述第二电容的第二端、第四电容的第一端、所述第二晶体管的栅极均连接于第二节点,其中,所述第一电容和第三电容至少有一个是铁电电容,所述第二电容和第四电容至少有一个是铁电电容; 控制单元,连接于各个存储单元中所述第一开关的控制端、所述第二开关的控制端、所述第一开关的第一端、所述第二开关的第一端、所述第一晶体管的源极、所述第二晶体管源极、所述第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极、所述第三电容的第二端,用于: 输入控制信号以控制所述存储单元执行目标操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人清华大学;华为技术有限公司,其通讯地址为:100084 北京市海淀区清华园1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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