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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利动态随机存取存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310210598.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器及其形成方法是由张帜;华文宇设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本动态随机存取存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种动态随机存取存储器及其形成方法，其结构包括：位于衬底内的若干第一沟槽和若干第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽均沿第二方向贯穿有源区和第一隔离结构，且自第一面向第二面延伸，第一沟槽贯穿沟道区，第二沟槽贯穿字线区；位于第一沟槽内的屏蔽层，在垂直于衬底表面的方向上，第一隔离结构内的屏蔽层具有第一尺寸，有源区内的屏蔽层具有第二尺寸，第二尺寸小于第一尺寸；位于第二沟槽侧壁的字线栅结构，字线栅结构包括位于各第二沟槽侧壁的两个字线层和位于两个字线层之间的第二隔离结构，第二隔离结构使两个字线层之间相互隔离。在降低第一隔离结构内的相邻字线层之间的寄生电容的同时，还降低了字线冲击效应。

本发明授权动态随机存取存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干沿第一方向排布的有源区和第一隔离结构，所述第一隔离结构位于相邻有源区之间，若干所述有源区平行于第二方向，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述有源区均包括若干相互分立且沿第二方向排布的沟道区、以及位于相邻沟道区之间的字线区，位于不同有源区内的字线区沿第一方向排列； 位于所述衬底内的若干第一沟槽和若干第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均沿第一方向贯穿所述有源区和所述第一隔离结构，且自所述第一面向所述第二面延伸，所述第一沟槽贯穿所述沟道区，所述第二沟槽贯穿所述字线区； 位于所述第一沟槽内的屏蔽层，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述第一隔离结构内的所述屏蔽层具有第一尺寸，所述有源区内的所述屏蔽层具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸； 位于所述第二沟槽侧壁的字线栅结构，所述字线栅结构包括位于各所述第二沟槽侧壁的两个字线层和位于所述两个字线层之间的第二隔离结构，所述第二隔离结构使所述两个字线层之间相互隔离。

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