南京大学何道伟获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116249359B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310168702.X，技术领域涉及：H10K10/20；该发明授权一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法是由何道伟;李雅婷;李昀;王欣然;施毅设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法，该二极管包括衬底、绝缘层、底电极、有机半导体薄膜和顶电极；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制法为：在衬底上生长绝缘层，在绝缘层上制备底电极，在底电极上生长有机半导体薄膜；另取衬底制备顶电极；将顶电极金属转移到有机半导体薄膜上，制得。本发明制备的有机垂直分子二极管实现了破纪录的整流比高达108，单位电导超过103Scm2，本发明还制备了有机垂直分子二极管阵列，阵列实现了100％的产率，表现出高均一性。
本发明授权一种有机垂直分子二极管及其制法、二极管阵列的制法在权利要求书中公布了：1.一种有机垂直分子二极管，其特征在于，包括衬底、绝缘层、底电极、有机半导体薄膜和顶电极；所述底电极制备于绝缘层表面，且制得的底电极表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；所述有机半导体薄膜的材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子；所述有机半导体薄膜的材料为2,9-二己基萘[2,3-b]萘并[2',3':4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩或2,9-二十四烷基萘[2,3-b]萘并[2',3':4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩。
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