南京大学何道伟获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116347963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310168711.9，技术领域涉及：H10K71/15；该发明授权一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制法是由何道伟;李雅婷;李昀;王欣然;施毅设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括衬底、绝缘层、金属层和有机半导体薄膜；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体薄膜材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制备方法包括如下步骤：在衬底上生长绝缘层；在绝缘层表面制备金属层；配制溶液；调节生长参数，生长二维有机半导体单晶薄膜。本发明通过选取合适的衬底和生长条件，直接在金属衬底上实现了二维有机半导体单晶薄膜的高质量、大规模、可控生长，薄膜单晶面积达到了毫米级别，为简化器件结构及制备工艺提供了可能的途径。
本发明授权一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制法在权利要求书中公布了：1.一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜，其特征在于，包括衬底、绝缘层、金属层和有机半导体薄膜；所述金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；所述有机半导体薄膜的材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子；所述共轭有机小分子为2,9-二己基萘[2,3-b]萘并[2',3':4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩或2,9-二十四烷基萘[2,3-b]萘并[2',3':4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩。
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