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龙图腾网获悉青岛融合微电子科技有限公司申请的专利一种倒装LED芯片及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310150069.1，技术领域涉及：H10H20/856；该发明授权一种倒装LED芯片及其制备工艺是由朱帅;康志杰设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装LED芯片及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备工艺，属于倒装LED芯片技术领域。本发明的倒装LED芯片的制备工艺取消了繁琐的DBR膜层沉积，采用ODR全反射膜层代替了DBR，不但使芯片整体厚度减少，减少了物料的损耗，同时在反转与分选时芯粒更加稳固，减少了倒晶概率，并且采用ODR全反射膜层还能够提高出光效率。

本发明授权一种倒装LED芯片及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1对晶圆基底进行清洗，圆晶基底包括蓝宝石、N-GaN外延层、发光层和P-GaN外延层； S2在圆晶基底上进行ITO层的蒸镀与退火； S3在ITO层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉ITO层一侧的正性光刻胶； S4通过干法刻蚀的方法，将暴露出的ITO层及其下方的P-GaN外延层、发光层和部分N-GaN外延层去除，形成N电极导电平台； S5通过湿法腐蚀的方法，将ITO层的四边内缩，露出下方的P-GaN外延层，随后去掉剩余的正性光刻胶； S6在ITO层、P-GaN外延层和N电极导电平台的上表面涂上负性光刻胶，经曝光、显影去除掉N电极导电平台一侧的负性光刻胶； S7通过干法刻蚀的方法，将暴露出的N电极导电平台去除，形成切割道；随后去除掉剩余的负性光刻胶； S8在ITO层、P-GaN外延层、N电极导电平台和切割道上涂上负性光刻胶，经曝光、显影去除掉ITO层和N电极导电平台的部分负性光刻胶； S9在负性光刻胶和露出的ITO层及N电极导电平台上蒸镀PAD1层，随后剥离掉负性光刻胶，从而在ITO层和N电极导电平台上分别镀上PAD1层； S10在ITO层、P-GaN外延层、PAD1层、N电极导电平台和切割道上沉积PV1层； S11在PV1层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉对应PAD1层上的部分或全部正性光刻胶；通过湿法腐蚀的方法，将露出的PV1层去掉，再将剩余的正性光刻胶去除； S12在PV1层和露出的PAD1层上涂上负性光刻胶，经曝光、显影去除掉PV1层上的负性光刻胶； S13在PV1层和负性光刻胶上蒸镀金属铝层，随后剥离掉负性光刻胶，从而在PV1层上镀上金属铝层； S14在金属铝层和PAD1层上涂上负性光刻胶，经曝光、显影去除掉PAD1层上的负性光刻胶； S15在PAD1层和负性光刻胶上蒸镀PAD2层，随后剥离掉负性光刻胶，从而在PAD1层上镀上PAD2层； S16在步骤S15得到的半成品上沉积PV2层； S17在PV2层上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉对应PAD2层上的部分或全部光刻胶； S18通过湿法腐蚀的方法，将暴露出的PV2层去除，随后去除掉剩余的正性光刻胶，形成与锡膏接触的通道。

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