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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利SRAF的风险预测及优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116184773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310113535.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权SRAF的风险预测及优化方法是由邹先梅设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAF的风险预测及优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SRAF的风险预测及优化方法，包括：步骤一、设计一系列的第一测试图形结构，包括第一密集图形区、间隔区和第二密集图形区，间隔区的宽度逐渐变化。步骤二、在各第一测试图形结构的间隔区中插入SRAF并进行OPC修正。步骤三、利用OPC结果检查程序仿真各第一测试图形结构的仿真轮廓图。步骤四、进行风险判断，包括：如果仿真轮廓图中不包括SRAF的轮廓图形，则验证结果为安全。如果仿真轮廓图中包括SRAF的轮廓图形，则验证结果为不安全，并转到步骤五；步骤五、对参数不安全的SRAF的参数进行优化，之后转到步骤二。本发明能提前对SRAF在各种环境下的参数安全性进行准确验证并实现对不安全的SRAF的参数进行优化，能确保在产品版图中插入SRAF的安全性。

本发明授权SRAF的风险预测及优化方法在权利要求书中公布了：1.一种SRAF的风险预测及优化方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、设计一系列的第一测试图形结构，各所述第一测试图形结构包括第一密集图形区、间隔区和第二密集图形区，所述第一密集图形区和所述第二密集图形区中设置有密集图形，各所述第一测试图形结构的所述间隔区的宽度逐渐变化； 一系列的所述第一测试图形结构用于模拟SRAF所插入的不同环境，所述密集图形用于在不同环境下加强对所述SRAF的光学影响； 步骤二、在各所述第一测试图形结构的所述间隔区中插入SRAF并对插入所述SRAF后各所述第一测试图形结构进行OPC修正； 步骤三、利用OPC结果检查程序仿真各所述第一测试图形结构的仿真轮廓图； 步骤四、进行风险判断，包括： 如果所述仿真轮廓图中不包括所述SRAF的轮廓图形，则验证结果为所述SRAF的各参数安全； 如果所述仿真轮廓图中包括所述SRAF的轮廓图形，则所述验证结果为所述SRAF的各参数不安全，并转到步骤五； 步骤五、对参数不安全的所述SRAF的参数进行优化，之后转到步骤二，之后重复步骤二至步骤四或者步骤二至步骤五，直至各所述SRAF的各参数安全。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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