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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利一种薄膜参数的获取方法、获取装置及终端设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116086329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310034394.1，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权一种薄膜参数的获取方法、获取装置及终端设备是由王帅;韩玉永;张宇帆;张雪娜;洪峰设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜参数的获取方法、获取装置及终端设备在说明书摘要公布了：本申请公开薄膜参数的获取方法、获取装置及终端设备。该方法包括：获取薄膜的函数关系式，函数关系式的自变量包括薄膜各层的厚度及光学常数，因变量包括薄膜的反射光偏振信息；将薄膜各层的厚度和光学常数的估计值代入函数关系式，得到薄膜的反射光偏振信息的模拟值，薄膜的至少两层中各层的厚度估计值之间满足预设比例；当薄膜的反射光偏振信息的模拟值与薄膜的反射光偏振信息的实验值的差值满足预设条件时，将薄膜各层的厚度的估计值作为厚度实际值，将薄膜各层的光学常数的估计值作为光学常数实际值。本申请方案通过满足预设比例的厚度估计值来拟合得到薄膜各层的光学常数和厚度的实际值，可以使计算出的厚度和光学常数的实际值更加准确。

本发明授权一种薄膜参数的获取方法、获取装置及终端设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜参数的获取方法，其特征在于，包括： 获取薄膜的函数关系式，其中，所述函数关系式的自变量包括所述薄膜各层的厚度及各层的光学常数，所述函数关系式的因变量包括所述薄膜的反射光偏振信息； 将所述薄膜各层的厚度的估计值和各层的光学常数的估计值代入所述函数关系式，计算得到所述薄膜的反射光偏振信息的模拟值，其中，所述薄膜的至少两层中，各层的厚度的估计值之间满足预设比例； 当所述薄膜的反射光偏振信息的模拟值与所述薄膜的反射光偏振信息的实验值的差值满足预设条件时，将所述薄膜各层的厚度的估计值作为厚度实际值，将所述薄膜各层的光学常数的估计值作为光学常数实际值； 当所述薄膜的反射光偏振信息的模拟值与所述薄膜的反射光偏振信息的实验值的差值不满足所述预设条件时，对所述薄膜各层的厚度的估计值和各层的光学常数的估计值进行调整； 将各层厚度调整后的估计值确定为各层厚度新的估计值，各层光学常数调整后的估计值确定为各层光学常数新的估计值，返回执行所述将所述薄膜各层的厚度的估计值和各层的光学常数的估计值代入所述函数关系式，计算得到所述薄膜的反射光偏振信息的模拟值的步骤； 在所述将所述薄膜各层的厚度的估计值和各层的光学常数的估计值代入所述函数关系式，计算得到所述薄膜的反射光偏振信息的模拟值之前，获取所述薄膜的所述至少两层中，各层分别对应的制作工艺的耗费时长； 根据所述各层分别对应的制作工艺的耗费时长，确定所述预设比例； 确定所述预设比例包括： 厚度＝制作工艺的耗费时长*生长速率，先对某层材料利用扫描电子显微镜做破坏性测量实验，获得该层的厚度，然后推算出来生长速率，得到生长速率之后，再利用上述公式，无损得到各层之间的厚度比值，用户将该比值输入到计算机中，计算机将该比值作为所述预设比例； 所述反射光偏振信息包括N、C和S； 其中，N＝cos2Ψ，C＝sin2ΨcosΔ，S＝sin2ΨsinΔ； Ψ表示椭圆偏振光在薄膜表面的反射光的振幅比角，Δ表示椭圆偏振光在薄膜表面的反射光的相位差角。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市埃芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号喷油车间6栋101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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