联合微电子中心有限责任公司张海欧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211722976.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张海欧;王学毅;魏久雲;薛张设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，通过在需要制作片电阻的区域中，刻蚀去除栅电极层的部分厚度形成电阻槽，并在电阻槽填入电阻缓冲层、电阻层和刻蚀阻挡层，配合对应刻蚀阻挡层的化学机械研磨工艺，可实现不需要在片电阻区域额外增加厚度，即可制作出片电阻电路组件，可有效降低后续接触孔所需刻蚀和所需填充的深度，进而降低接触孔的深宽比，增大接触孔的制造工艺窗口。同时，本申请可以有效提高器件的平整度，并降低器件的整体厚度。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的栅结构，所述栅结构包括层叠的栅介质层及栅电极层，所述栅结构周侧形成有侧墙结构； 2通过光刻定义出片电阻区域和非片电阻区域，刻蚀去除所述片电阻区域中的栅电极层的部分厚度，形成电阻槽； 3于所述非片电阻区域和片电阻区域的电阻槽内沉积电阻缓冲层； 4于所述电阻缓冲层上沉积电阻层； 5于所述电阻层上沉积刻蚀阻挡层，其中，所述电阻缓冲层、电阻层和刻蚀阻挡层填入于所述电阻槽内； 6通过化学机械研磨工艺去除所述非片电阻区域和片电阻区域多余的刻蚀阻挡层，使所述片电阻区域的电阻槽内保留的所述刻蚀阻挡层与所述非片电阻区域的所述电阻层的顶面齐平； 7去除所述非片电阻区域的电阻层，基于所述刻蚀阻挡层保留所述片电阻区域的电阻槽内的所述电阻层，以在所述电阻槽内形成片电阻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联合微电子中心有限责任公司，其通讯地址为：401332 重庆市沙坪坝区沙坪坝西园一路28号附2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励