中国原子能科学研究院聂阳波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211661147.6，技术领域涉及：G01T3/00；该发明授权一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法是由聂阳波;张时宇;丁琰琰;阮锡超;任杰设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，采用基于SiC探测器的D‑T中子辐射场测量系统，可同时测量两种反应的伴随粒子，能谱上可区分，得到α粒子和质子的计数率；考虑了D‑T反应中由于靶沉积导致的D‑D反应的影响，获得D‑T、D‑D中子源的能谱和角分布，有效提升了能谱和角分布精确度；本发明的方法对伴随粒子的管道，光栅等靶管相关参数并无要求，操作简单，只需要测量一组数据即可得到全空间的能谱分布，不需要逐一测量不同角度，可对所有D‑T中子源进行测量；且本发明的方法可应用于在有伴随粒子通道预留的直流束或者脉冲束D‑T加速器中子源上，尤其对于靶上有氘束流沉积的情况下，可更为精确的获得D‑T中子源的能谱和角分布。
本发明授权一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法在权利要求书中公布了：1.一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，其特征是，包括以下步骤： 1建立基于碳化硅探测器的D-T中子辐射场测量系统； 2在所述系统中对D-D反应和D-T反应产生的伴随粒子进行监测，分别获得到Td,n4He和Dd,tp两种反应产生的伴随粒子α粒子4He和质子p的计数； 3根据上述伴随粒子α粒子4He和质子p的计数通过公式计算D-D、D-T产额比； 4分别模拟计算获得D-T中子源和D-D中子源的能谱和角分布； 5在模拟的D-T中子源和D-D中子源的能谱和角分布中设置上述伴随粒子α粒子4He和质子p的计数率比值，得到真实D-T、D-D中子源能谱和角分布。
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