宁波恒普真空科技股份有限公司刘鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波恒普真空科技股份有限公司申请的专利一种成膜装置晶片加热热场获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116024654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211545297.0，技术领域涉及：C30B25/10；该发明授权一种成膜装置晶片加热热场是由刘鹏;徐文立;沈磊设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种成膜装置晶片加热热场在说明书摘要公布了：本发明公开一种成膜装置晶片加热热场，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口。本发明中的成膜装置晶片加热热场，热场置于基座内部可以确保晶片的升温效率，避免外周部气体流动的影响。基座内部热场发热面正对晶片背面，由多个发热体共同组成，尽可能增大发热面且面内各处保持相同的发热量。
本发明授权一种成膜装置晶片加热热场在权利要求书中公布了：1.一种成膜装置晶片加热热场，其特征在于，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口； 所述反应室上部设置有套筒，所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有气体预热热场；所述套筒的上部为直径较小的竖直结构，中部逐渐向外扩张，下部为直径较大的竖直结构； 所述基座热场包括外圈发热体和中心发热体； 所述外圈发热体和所述中心发热体上方设置有基板，所述基板用于装载所述晶片； 所述基板顶面设置有支撑件，所述支撑件为环形结构，所述支撑件的顶面向内侧横向延伸设置形成承托部，所述晶片与所述承托部的顶面相接触； 所述基板顶面设置有调整件，所述承托部底面和所述基板顶面之间的间距与所述调整件顶面和所述晶片底面的间距相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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