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龙图腾网获悉西安工程大学申请的专利柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211473690.3，技术领域涉及：H10F77/122；该发明授权柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法是由李连碧;丁斌斌;李蕾;贡楷文;王蓉;李泽斌;张国青;夏蔡娟;宋立勋;曹得重;臧源;胡继超;林生晃设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法在说明书摘要公布了：本发明公开了柔性石墨烯锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。

本发明授权柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法在权利要求书中公布了：1.柔性石墨烯锗异质结的制备方法，其特征在于，以Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜； 具体制备步骤如下： 步骤1、将铜箔石墨烯放入进样室，将进样室气压抽至与生长室相同，即1×10-1Pa以下； 步骤2、将铜箔石墨烯送至生长室，将生长室气压抽至1×10-4Pa以下，加热到500℃-590℃，进行生长； 所述步骤2中加热方式为以15℃min-25℃min的速率加热到500℃-590℃； 步骤3、向生长室通入N2，打开激光器预热30min-50min； 步骤4、调整激光光路，照射Ge靶材，靶材与铜箔石墨烯间距为6.2cm-8.6cm，沉积30min-60min； 所述步骤4中激光脉冲频率3Hz-7Hz，激光能量为530mJ-630mJ，Ge靶材的纯度为99.99999%； 步骤5、沉积结束后，抽真空至进样室与生长室的真空度相差一个数量级，取出成品材料，即得柔性石墨烯锗异质结。

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