上海和辉光电股份有限公司俞云海获国家专利权
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龙图腾网获悉上海和辉光电股份有限公司申请的专利一种OLED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211267902.2，技术领域涉及：H10K50/18；该发明授权一种OLED器件及其制备方法是由俞云海设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种OLED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光半导体器件技术领域，具体涉及一种OLED器件及其制备方法，包括：基板，所述基板的上表面形成有多个阳极；多个侧墙，所述侧墙形成于每一对相邻的所述阳极之间的区域，所述侧墙自所述基板的上表面延伸并部分覆盖于两侧的所述阳极上方；特殊功能层，所述特殊功能层形成于所述侧墙上方，以使所述OLED器件的功能区域在所述特殊功能层的上方断开。本发明的有益效果在于：通过设置特殊功能层使得功能区域在特殊功能层上方断开，从而阻断了相邻的发光层之间的空穴传输途径，避免了像素点亮时空穴对相邻的像素造成串扰的问题，实现了较好的显示效果。
本发明授权一种OLED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种OLED器件，其特征在于，包括： 基板，所述基板的上表面形成有多个阳极； 多个侧墙，所述侧墙形成于每一对相邻的所述阳极之间的区域，所述侧墙自所述基板的上表面延伸并部分覆盖于两侧的所述阳极的上方； 特殊功能层，所述特殊功能层形成于所述侧墙上方，以使所述OLED器件的功能区域在所述特殊功能层的上方断开； 自组装单分子层，所述自组装单分子层形成于所述特殊功能层上方； 阴极，所述阴极形成于所述自组装单分子层和所述功能区域上方。
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