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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513142B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211250921.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由刘昊炎;李永亮;王晓磊;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以在第一沟道区和第二沟道区的材质不同的情况下，降低CFET器件的制造难度。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上形成鳍状结构。鳍状结构包括依次设置的第一沟道形成部、牺牲隔离部和第二沟道形成部。沿鳍状结构的宽度方向，并在第一保护层的保护作用下，仅对第二沟道形成部包括的第一半导体层进行横向减薄处理，以在第二沟道形成部包括的第一半导体层的两侧形成凹口。在凹口内形成第二保护层。至少依次去除第一保护层、以及牺牲隔离部包括的第一半导体层。在第三保护层的保护作用下，仅去除牺牲隔离部包括的第二半导体层和第二沟道形成部包括的第二半导体层。并去除第二保护层。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在半导体基底上形成鳍状结构；沿所述半导体基底的厚度方向，鳍状结构包括依次设置的第一沟道形成部、牺牲隔离部和第二沟道形成部；所述牺牲隔离部和所述第二沟道形成部均包括至少一层叠层，每层所述叠层包括第一半导体层、以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层；所述第一沟道形成部包括至少一层所述第二半导体层；所述第二半导体层和所述第一半导体层的材质不同； 沿所述鳍状结构的宽度方向，并在第一保护层的保护作用下，仅对所述第二沟道形成部包括的第一半导体层进行横向减薄处理，以在所述第二沟道形成部包括的第一半导体层的两侧形成凹口； 在所述凹口内形成第二保护层；所述第一保护层和所述第一半导体层的材质均与所述第二保护层的材质不同； 至少依次去除所述第一保护层、以及所述牺牲隔离部包括的第一半导体层，以使得所述第一沟道形成部包括的第二半导体层形成第一晶体管包括的第一沟道区； 在第三保护层的保护作用下，仅去除所述牺牲隔离部包括的第二半导体层和所述第二沟道形成部包括的第二半导体层，以使得所述第二沟道形成部包括的第一半导体层形成第二晶体管包括的第二沟道区；并去除所述第二保护层，以使得所述第二沟道区和所述第一沟道区隔离开；所述第一晶体管和所述第二晶体管的导电类型不同。

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