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龙图腾网获悉盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司;盛吉盛半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种用于半导体反应设备的调压装置及半导体反应设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211180304.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种用于半导体反应设备的调压装置及半导体反应设备是由李景舒设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体反应设备的调压装置及半导体反应设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于半导体反应设备的调压装置以及半导体反应设备，该调压装置包括永磁体挡板、通电线圈以及通气管道，半导体反应设备的腔室的底部开设有通孔，通气管道的第一端通过通孔与腔室的内部连通，永磁体挡板设置于腔室的内部，永磁体挡板能够在通电线圈的作用下升高或降低，以增大或减小永磁体挡板与通孔之间的距离。本发明能够在避免机械颗粒产生的同时，实现对腔室内的压力快速且精确的调节。

本发明授权一种用于半导体反应设备的调压装置及半导体反应设备在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体反应设备的调压装置，其特征在于，包括永磁体挡板、通电线圈以及通气管道，所述半导体反应设备的腔室的底部开设有通孔，所述通气管道的第一端通过所述通孔与所述腔室的内部连通，所述永磁体挡板设置于所述腔室的内部，所述永磁体挡板能够在所述通电线圈的作用下升高或降低，以增大或减小所述永磁体挡板与所述通孔之间的距离，通过调整通电线圈内所通入的电流的大小，以调整永磁体挡板的高度，来实现对腔室的排气量控制，从而达到调整腔室内压力的目的； 所述永磁体挡板包括底部平面、顶部平面以及侧表面，所述永磁体挡板在所述通电线圈的作用下升高或降低，以增大或减小所述永磁体挡板的侧表面与所述通孔的内壁的弧形表面之间的距离；永磁体挡板的顶部平面与腔室的底部表面的距离为H，永磁体挡板的侧表面与通孔的弧形表面之间的距离为D，在永磁体挡板的侧表面与通孔的弧形表面接触时，永磁体挡板的顶部平面与腔室的底部表面的距离为H0，则D、H0以及H满足如下关系式，D＝H-H0*常数，永磁体挡板的侧表面与通孔的弧形表面之间的距离D与永磁体挡板的顶部平面与腔室底部表面的距离H呈线性相关，使得调压装置即使在开度很小的情况下，也能够实现精准控压； 所述永磁体挡板的侧表面被构造成弧形，所述永磁体挡板的侧表面与所述通孔的弧形表面能够接触； 所述永磁体挡板的顶部平面被构造成凸起形式。

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