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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211137969.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权闪存结构的形成方法是由曹子贵设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种闪存结构的形成方法，包括：初始控制栅之间具有控制栅开口，牺牲层之间具有暴露出控制栅开口的牺牲开口，第一侧墙位于牺牲开口侧壁；在控制栅开口和牺牲开口暴露出的初始控制栅结构侧壁形成第一介质层、位于第一介质层侧壁的初始第二侧墙和位于初始第二侧墙侧壁的第二介质层，初始第二侧墙的材料不同于第一介质层和第二介质层的材料；刻蚀初始第二侧墙，直到初始第二侧墙顶部表面低于初始控制栅结构顶部表面，以形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，刻蚀浮栅材料层，直到暴露出衬底，以形成过渡浮栅，过渡浮栅之间具有浮栅开口；在控制栅开口、牺牲开口和浮栅开口内形成擦除栅结构，提高了工艺窗口和器件性能的稳定性。

本发明授权闪存结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底表面形成浮栅材料层、位于所述浮栅材料层表面相互分立的两个初始控制栅结构，各初始控制栅结构包括初始控制栅、位于所述初始控制栅上的牺牲层和第一侧墙，所述初始控制栅之间具有控制栅开口，所述牺牲层之间具有暴露出所述控制栅开口的牺牲开口，所述第一侧墙位于所述牺牲开口侧壁； 在所述浮栅材料层表面和所述两个初始控制栅结构表面形成第一介质材料层、位于所述第一介质材料层表面的第二侧墙材料层，以及位于所述第二侧墙材料层表面的第二介质材料层； 回刻所述第一介质材料层、所述第二侧墙材料层和所述第二介质材料层，直到暴露出所述浮栅材料层表面，在所述控制栅开口和所述牺牲开口暴露出的所述初始控制栅结构侧壁形成第一介质层、位于所述第一介质层侧壁的初始第二侧墙和位于所述初始第二侧墙侧壁的第二介质层，所述初始第二侧墙的材料不同于所述第一介质层和所述第二介质层的材料，以所述第一介质材料层形成所述第一介质层，以所述第二侧墙材料层形成所述初始第二侧墙，以所述第二介质材料层形成所述第二介质层； 刻蚀所述初始第二侧墙，直到所述初始第二侧墙顶部表面低于所述初始控制栅结构顶部表面，所述第二介质层下的所述初始第二侧墙也被横向刻蚀，以形成第二侧墙； 形成所述第二侧墙之后，刻蚀所述浮栅材料层，直到暴露出所述衬底，以形成过渡浮栅，所述过渡浮栅之间具有浮栅开口； 在所述控制栅开口、所述牺牲开口和所述浮栅开口内形成擦除栅结构。

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