买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115451929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211096122.6，技术领域涉及：G01C19/00；该发明授权一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法是由刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;江迪莎;董林玺;王高峰设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法。硅纳米线陀螺仪包括SOI硅片，SOI硅片的顶层硅表面设有氮化硅薄膜；其中，顶层硅形成有悬空的质量块及其连接的三条硅纳米线，硅纳米线沿质量块的周侧分布；质量块及硅纳米线的表面均附着有氮化硅薄膜；顶层硅之上设有与体硅导电连接的正、负电极；SOI硅片还具有从氮化硅薄膜刻蚀至氧化层的隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝；悬空的氮化硅薄膜上设置栅极，栅极用于调制硅纳米线沟道的载流子浓度，即调节硅纳米线沟道的电导，进而寻找出器件的最佳工作点。

本发明授权一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法在权利要求书中公布了：1.基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪的加工方法，其特征在于，所述硅纳米线陀螺仪包括SOI硅片，SOI硅片的顶层硅表面设有氮化硅薄膜；其中，顶层硅形成有悬空的质量块及其连接的三条硅纳米线，硅纳米线沿质量块的周侧分布；质量块及硅纳米线的表面均附着有氮化硅薄膜；当硅纳米线陀螺仪受到外界的角加速度作用时，质量块跟随着角加速度的方向转动，使得支撑质量块的硅纳米线发生形变，形变导致硅纳米线电导变化，进而输出变化的信号； 所述顶层硅之上设有与体硅导电连接的正、负电极； 所述SOI硅片还具有从氮化硅薄膜刻蚀至氧化层的隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝； 悬空的氮化硅薄膜上设置栅极，栅极用于调制硅纳米线沟道的载流子浓度； 所述加工方法包括以下步骤： S1、在111型SOI硅片的顶层硅表面制备氮化硅薄膜，形成介质掩膜层； S2、通过光刻工艺在介质掩膜层中形成三个环形分布的三角形图案，并刻蚀图案处的氮化硅形成三个三角形窗口；对各三角形窗口处的硅进行干法刻蚀并刻蚀到SOI硅片的氧化层，制得三个深度相同的竖直三角形槽； S3、采用干法刻蚀依次刻蚀竖直三角形槽下的氧化硅层和预设深度的底层硅，得到三角形腐蚀槽； S4、去除光刻胶，对三角形腐蚀槽进行各向异性湿法腐蚀，形成六边形腐蚀槽，且相邻的六边形腐蚀槽之间形成单晶硅薄壁结构，三个六边形腐蚀槽中间出现两个相对的锥体结构，且100晶向的底层硅出现的腐蚀槽将顶层硅上相连的两个锥体结构释放，以构成质量块； S5、基于自限制热氧化工艺对硅片热氧化，单晶硅薄壁结构的顶部中央位置形成单晶硅纳米线； S6、在硅片的适当位置刻蚀氮化硅薄膜形成方形窗口，对方形窗口硼离子注入后再进行退火，之后制作正、负电极； S7、在悬空的氮化硅薄膜上制备栅极； S8、在硅片的适当位置制作隔离沟道以实现正、负电极的物理隔绝； S9、去除被氧化的单晶硅薄壁结构，释放整个结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。