上海传芯半导体有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115291470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211076680.6，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法是由季明华;董于虎;黄早红;任新平设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，通过向空白石英基板的表层交替多次注入钛离子和氧离子，并热处理，使得空白石英基板的表层转换为含氧化钛硅酸盐的石英膜层，并进一步对含氧化钛硅酸盐的石英膜层的较为粗糙的表面进行平坦化，从而利用氧化钛和氧化硅的热膨胀相互抵消的作用，使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm℃，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷、工作面平坦的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版。
本发明授权EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种EUV级衬底的制造方法，其特征在于，包括： 提供空白石英基板； 对所述空白石英基板的表层交替注入钛离子和氧离子，并进行热处理，以使得所述空白石英基板的表层与注入的钛离子和氧离子充分结合和反应，转换为含氧化钛硅酸盐的石英膜层，所述含氧化钛硅酸盐的石英膜层下方为空白石英基板； 对所述含氧化钛硅酸盐的石英膜层的表面进行平坦化处理，进而形成EUV级衬底，其中，所述含氧化钛硅酸盐的石英膜层中的氧化硅和氧化钛的热膨胀相互抵消的作用，使所述EUV级衬底表面在工作温度下的热膨胀系数小于或等于0.1ppm℃，且所述含氧化钛硅酸盐的石英膜层还用于在EUV光刻时降低所述EUV级衬底引入的缺陷，提高EUV光刻效果。
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