长鑫存储技术有限公司周成功获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利字线电阻测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115273957B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210930434.6，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权字线电阻测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品是由周成功;柯卫宝;李想;汪锡;黄建钦设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本字线电阻测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种字线电阻测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品，该字线电阻测试方法包括：向与待测试字线连接的存储单元中写入第一数据，并在所述待测试字线激活预设时间后，读取所述存储单元中存储的数据，其中，所述预设时间小于所述存储单元对应的标准行地址激活时间；根据所述存储单元中存储的数据，确定所述待测试字线的电阻是否合格。在向存储单元写入数据后，通过较短的行地址激活有效时间进行存储数据的读取，基于所读取的数据与所写入数据是否一致，实现对字线电阻的测试，测试成本低、准确度高，通过字线电阻测试，有效避免了DRAM因字线电阻偏大而导致读写失效。
本发明授权字线电阻测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种字线电阻测试方法，其特征在于， 包括： 向与待测试字线连接的存储单元中写入第一数据，并在所述待测试字线激活预设时间后，读取所述存储单元中存储的数据，其中，所述预设时间小于所述存储单元对应的标准行地址激活时间； 根据所读取的所述存储单元中存储的数据是否为所述第一数据，确定所述待测试字线的电阻是否合格； 向与待测试字线连接的存储单元中写入第一数据，并在所述待测试字线激活预设时间后，读取所述存储单元中存储的数据，包括： 下发激活指令激活所述待测试字线，向与所述待测试字线连接的存储单元中写入第一数据； 在下发所述激活指令后预设时间，读取所述存储单元中存储的数据； 下发激活指令激活所述待测试字线，向与所述待测试字线连接的存储单元中写入第一数据，包括： 在与待测试字线连接的存储单元对应的位线保持打开的状态下，下发激活指令激活所述待测试字线，向与所述待测试字线连接的存储单元中写入第一数据。
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