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龙图腾网获悉合肥师范学院申请的专利一种偏置电压电路及增益提高运算放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115242198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210919799.9，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种偏置电压电路及增益提高运算放大器是由金林;鲁世斌;刘畅咏;刘岩设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种偏置电压电路及增益提高运算放大器在说明书摘要公布了：本发明提供的一种偏置电压电路及增益提高运算放大器，包括：主放大电路和辅助放大电路，主放大电路包括：信号输入电路，用于接收输入信号Vip和输入信号Vin；共源共栅管，用于提高输出电阻，包括：第一共源共栅级和第二共源共栅级；第一共源共栅级与输入信号Vip相连，第二共源共栅级与输入信号Vin相连；电流镜电路，用于将第一共源共栅级的电流镜像至第二共源共栅级；尾电流源电路，连接在信号输入电路与接地端之间，用于为信号输入电路提供尾电流源；偏置电路，用于为共源共栅管和辅助放大电路提供偏置电压；辅助放大电路，用于为第二共源共栅级提供偏置电压，以提高运算放大器的直流增益，适用于半导体集成电路领域。

本发明授权一种偏置电压电路及增益提高运算放大器在权利要求书中公布了：1.一种偏置电路，其特征在于：包括： 输入匹配电路（1051），与输入信号Vip连接，用于匹配运算放大器的信号输入电路； 参考电流源（1052），用于产生参考电流Iin； 偏置电压发生电路（1053），用于基于参考电流Iin产生偏置电压VBN；以及基于偏置电压VBN产生偏置电压VBPC、偏置电压VBNC、偏置电压VB11和偏置电压VB21； 所述偏置电压发生电路（1053）包括： 第一偏置电压输出电路（10531），用于基于参考电流Iin产生偏置电压VBN； 第二偏置电压输出电路（10532），用于基于偏置电压VBN形成两个电流源电路，基于第一个电流源电路产生偏置电压VBPC，基于第二个电流源电路产生偏置电压VBNC、偏置电压VB11、以及偏置电压VB21； 所述输入匹配电路（1051）包括：MOS管MN4、MOS管MN5和MOS管MN6；所述第一偏置电压输出电路（10531）包括：MOS管MN1，所述第二偏置电压输出电路（10532）包括：MOS管MN2、MOS管MN3、MOS管MP4、MOS管MN8； 所述MOS管MN4的栅极、MOS管MN5的栅极、MOS管MN6栅极均与输入信号Vip连接； 参考电流源（1052）产生的参考电流Iin并接MOS管MN1的栅极、MOS管MN4的漏极后与偏置电压VBN的输出端连接； 所述偏置电压VBN与MOS管MN2的栅极、MOS管MN3的栅极连接，所述MOS管MN2的源极并接MOS管MN1的源极、MOS管MN3的源极后接地； 所述MOS管MN2的漏极与MOS管MN5的源极相连，所述MOS管MN5的漏极并接MOS管MP6的栅极、MOS管MP5的栅极、MOS管MP4的栅极、电阻Rc的一端后与偏置电压VBPC的输出端连接，所述MOS管MP6的源极与MOS管MP1的漏极连接；所述MOS管MP1的栅极并接MOS管MP2的栅极、MOS管MP3的栅极、MOS管MP6的漏极、电阻Rc的另一端后与偏置电压VBP的输出端连接；所述MOS管MP1的源极并接MOS管MP2的源极、MOS管MP3的源极后与电源电压VDD连接； 所述MOS管MN3的漏极并接MOS管MN6的源极、MOS管MN7的源极，所述MOS管MN6的漏极与MOS管MP5的漏极连接，所述MOS管MP5的源极与MOS管MP2的漏极连接； 所述MOS管MN7的栅极并接MOS管MN8的栅极、MOS管MN8的漏极、MOS管MP4的漏极后与偏置电压VBNC的输出端连接，所述MOS管MN7的漏极并接所述MOS管MN8的源极后与偏置电压VB21的输出端连接； 所述MOS管MP4的源极并接MOS管MP3的漏极后与偏置电压VB11的输出端连接。

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