华虹半导体(无锡)有限公司肖燏萍获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利提升通孔工艺窗口的OPC方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115268224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210855800.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权提升通孔工艺窗口的OPC方法是由肖燏萍;夏文彬;江志兴设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升通孔工艺窗口的OPC方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提升通孔工艺窗口的OPC方法，方法包括：提供一孔层图形，并从孔层图形中选出主目标通孔及次目标通孔；通过计算得到第一SRAF的最小缩短值及最大缩短值；根据最小缩短值及最大缩短值得到N种不同长度的第一SRAF，并将各第一SRAF添加于主目标通孔的一侧以得到N种不同添加方式下的SRAF层；于各SRAF层的整个孔层添加第二SRAF以得到N种目标层；将各目标层进行修正后模拟来获取主目标通孔及次目标通孔周边不同方位处的EPE值，以选择出第一SRAF的最佳添加方式。通过本发明解决了现有通孔因SRAF添加不合理导致其周围SRAF不一致或者EPE较大的问题。
本发明授权提升通孔工艺窗口的OPC方法在权利要求书中公布了：1.一种提升通孔工艺窗口的OPC方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一孔层图形，并从所述孔层图形中选出主目标通孔及位于所述主目标通孔两侧的次目标通孔； 根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的第一SRAF在预设方向上的长度值、所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一SRAF的最小缩短值及最大缩短值； 根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到N种不同长度的所述第一SRAF，并将各所述第一SRAF添加于所述主目标通孔的一侧以得到N种不同添加方式下的SRAF层； 于各所述SRAF层的整个孔层添加第二SRAF以得到N种目标层； 获取各所述目标层中所述主目标通孔及所述次目标通孔在上下左右四个方位处EPE值，并从中选出最小的EPE值； 根据EPE矩阵的配比均方根及最小的EPE值选择出所述第一SRAF最佳添加方式； 其中，N为大于等于1的正整数。
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