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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板、其制作方法及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210794658.9，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权阵列基板、其制作方法及显示面板是由王文清;聂诚磊设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、其制作方法及显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，阵列基板，包括：衬底；位于衬底上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：位于衬底上的半导体层；位于半导体层两侧的漏极和源极；位于半导体层上的栅绝缘层；位于栅绝缘层上的栅极，漏极、栅极以及漏极和栅极之间的膜层构成第一电容，源极、栅极以及源极和栅极之间的膜层构成第二电容；其中，薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，第一电容的电容值小于第二电容的电容值。通过使得源极侧对应的第二电容的电容值大于漏极侧对应的第一电容的电容值，在驱动薄膜晶体管开启时，能抑制显示面板发光前的耦合阶段因寄生电容而造成的电位损失，从而保证最终面板各位置的发光器件强度趋近于相同，提高面板的显示均匀性。

本发明授权阵列基板、其制作方法及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层两侧的漏极和源极；位于所述半导体层上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的栅极，所述漏极、所述栅极以及所述漏极和所述栅极之间的膜层构成第一电容，所述源极、所述栅极以及所述源极和所述栅极之间的膜层构成第二电容； 其中，所述薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第一电容的电容值小于所述第二电容的电容值；所述栅绝缘层包括第一子栅绝缘层和第二子栅绝缘层，所述第一子栅绝缘层位于靠近所述漏极的一侧，所述第二子栅绝缘层位于靠近所述源极的一侧，所述第一子栅绝缘层的厚度大于所述第二子栅绝缘层的厚度，所述第一子栅绝缘层和所述第二子栅绝缘层均与所述半导体层重叠；所述源极、所述漏极以及所述半导体层同层设置； 所述半导体层具有沟道区，所述沟道区连接所述漏极与源极； 所述沟道区与所述漏极连接的第一部分的截面面积，小于所述沟道区与所述源极连接的第二部分的截面面积。

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