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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种晶片蒸镀前清洁的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210785819.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种晶片蒸镀前清洁的方法是由洪加添;林展成设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶片蒸镀前清洁的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体电子技术领域，具体涉及一种晶片蒸镀前清洁的方法，包括如下步骤：步骤二：等离子打胶机对其腔体进行两次的电离工序；步骤三：将步骤二得到的半成品晶片放入离子水中，对离子水中充氮气使离子水中鼓泡；步骤四：将步骤三得到的半成品晶片放入清洗槽后，进行两次不同速率的冲离子水，后进行三次平均功率不同的甩干。本发明的有益效果在于：本发明提供的不同功率的多次电离、冲离子水及甩干，能使聚合物被更合适功率的去除工序去除，并且多个不同功率的工序存在配合作用，使半成品晶片表面的杂质被更完全的去除，提高了半成品晶片表面的清洁程度。

本发明授权一种晶片蒸镀前清洁的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片蒸镀前清洁的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一：在半成品晶片上覆盖光刻胶后，使用光刻工艺，使光刻胶上开设出P型半导体孔和N型半导体孔； 步骤二：将步骤一得到的半成品晶片放入等离子打胶机的腔体中，使等离子打胶机对其腔体进行两次的电离工序，第二次电离工序的功率比第一次电离工序的功率小； 所述步骤二具体为，（1）将打胶转盘设定10rmin（转每分钟），腔体真空达40mTorr后将20sccm（毫升每分钟）的氧气通入腔体，进行腔体的氧气前吹扫，维持30s； （2）将打胶转盘设定10rmin、保持20sccm氧通量，射频电源RF功率调高至130W，保持400s的电离作业； （3）将打胶转盘设定10rmin、保持20sccm氧通量，RF功率调低至0W，维持30s； （4）调整打胶转盘转速5rmin与氧通量10sccm，RF功率调至100W，保持400s的电离作业，RF功率由第一段130W调整为100W，转盘转速下调5rmin，氧通量10sccm； （5）保持转盘转速5rmin与氧通量10sccm，RF功率调低至0W，维持30s； 步骤三：将步骤二得到的半成品晶片放入离子水中，对离子水中充氮气使离子水中鼓泡； 步骤四：将步骤三得到的半成品晶片放入清洗槽后，进行两次不同速率的冲离子水，后进行三次平均功率不同的甩干。

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