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龙图腾网获悉桂林电子科技大学;桂林航天工业学院申请的专利一种基于磁隧道结的读逻辑电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210771643.0，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种基于磁隧道结的读逻辑电路是由胡聪;苑金金;周甜;朱爱军;许川佩;黄喜军;万春霆;陈涛设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁隧道结的读逻辑电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于磁隧道结的读逻辑电路，由磁隧道结器件MTJ1～MTJ2、反相放大器I1～I2、PMOS晶体管PM0～PM5、以及NMOS晶体管NM0～NM4组成。该读逻辑电路包括预充电阶段和放电阶段两个阶段：当控制信号clk为低电平时，读逻辑电路进入预充电阶段；当控制信号clk为高电平时，逻辑读电路进入放电阶段。本发明将预充电电路和放电支路分离开来，有效地降低了读错误率；在预充电阶段，预充电电压的相关节点电压变小，有效的降低了电路的相关功耗。

本发明授权一种基于磁隧道结的读逻辑电路在权利要求书中公布了：1.一种基于磁隧道结的读逻辑电路，其特征是，由磁隧道结器件MTJ1～MTJ2、反相放大器I1～I2、PMOS晶体管PM0～PM5、以及NMOS晶体管NM0～NM4组成；磁隧道结器件MTJ1～MTJ2为垂直磁各向异性磁隧道结器件；反相放大器由1个PMOS晶体管PM和1个NMOS晶体管NM组成；NMOS晶体管NM的漏极形成反相放大器的电源端vdd；PMOS晶体管PM的漏极形成反相放大器的地端gnd；NMOS晶体管NM的源极和PMOS晶体管PM的源极相连后，形成反相放大器的输出端vo；NMOS晶体管NM的栅极和PMOS晶体管PM的栅极相连后，形成反相放大器的输入端vi； PMOS晶体管PM0、PMOS晶体管PM2、PMOS晶体管PM3和PMOS晶体管PM4的源极、以及反相放大器I1和反相放大器I2的电源端vdd同时接电源电压；NMOS晶体管NM2、NMOS晶体管NM3和NMOS晶体管NM4的源极、以及反相放大器I1和反相放大器I2的地端gnd同时接地；PMOS晶体管PM1、PMOS晶体管PM5和NMOS晶体管NM2的栅极同时接控制信号clk； 磁隧道结器件MTJ1和磁隧道结器件MTJ2的自由端T2与NMOS晶体管NM2的漏极连接；磁隧道结器件MTJ1的固定端T1与反相放大器I1的输入端vi和PMOS晶体管PM3的漏极连接；磁隧道结器件MTJ2的固定端T1与反相放大器I2的输入端vi和PMOS晶体管PM4的漏极连接；PMOS晶体管PM3的栅极接PMOS晶体管PM5的漏极；PMOS晶体管PM4的栅极接PMOS晶体管PM5的源极； 反相放大器I1的输出端vo接NMOS晶体管NM3的栅极；反相放大器I2的输出端vo接NMOS晶体管NM4的栅极；NMOS晶体管NM3的漏极接NMOS晶体管NM0的源极；NMOS晶体管NM4的漏极接NMOS晶体管NM1的源极；PMOS晶体管PM0和NMOS晶体管NM0的漏极、PMOS晶体管PM2和NMOS晶体管NM1的栅极、以及PMOS晶体管PM1的源极相连后形成读逻辑电路的反向输出端a-；PMOS晶体管PM2和NMOS晶体管NM1的漏极、PMOS晶体管PM0和NMOS晶体管NM0的栅极、以及PMOS晶体管PM1的漏极相连后形成读逻辑电路的正向输出端a。

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