松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所陈兴谦获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利一种二氧化锡靶材及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117362023B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210771394.5，技术领域涉及：C04B35/457；该发明授权一种二氧化锡靶材及其制备方法和应用是由陈兴谦;杜小龙;李昊瑧;李子;王燕;刘尧平设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二氧化锡靶材及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种二氧化锡靶材及其制备方法和应用，涉及半导体领域。二氧化锡靶材的制备方法包括以下步骤：先将混合粉末在压力为50～1500MPa的条件下加压5～30min，直至将混合粉末压制成型；混合粉末包括SnO2粉末和MxOy粉末，元素M为Ta、Sb、Nb、W、Mo、V中的至少一种，x、y分别为1到5之间的任意整数；SnO2粉末的质量占混合粉末质量的80％～99.9％。该方法能在不加入粘结剂的情况下将混合粉末压制成致密性好的二氧化锡靶材，这样能在有利于提升靶材的纯度，从而提升导电薄膜的电学和光学性能。
本发明授权一种二氧化锡靶材及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种二氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤： 将SnO2粉末和MxOy粉末混合，并使用球磨机进行球磨，对球磨后获得的混合粉末进行预热，预热时间为1000~3000min，预热温度为700~1400℃，预热时的升温速率为1~10℃min，将预热后的混合粉末冷却，在压力为50~1500MPa的条件下加压5~30min，直至将所述混合粉末压制成型，然后进行烧结，所述烧结包括将温度升到1000~1600℃保温1000~3000min，烧结时的升温速率为1~10℃min；然后降至10~30℃，烧结时的降温速率为1~5℃min； 所述MxOy粉末中元素M为Ta、Sb、Nb、W、Mo、V中的至少一种，x、y分别为1到5之间的任意整数；所述SnO2粉末的质量占所述混合粉末质量的80%~99.9%。
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