上海华虹宏力半导体制造有限公司韩国庆获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利MOM电容器及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761871.X，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权MOM电容器及形成方法是由韩国庆;朱一鸣;成剑钧;葛云鹭设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOM电容器及形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOM电容器及形成方法，电容器包括：绝缘层；金属层，嵌入绝缘层内，金属层包括金属块、第一电极、第二电极、与第一电极连接的第一电极叉指以及与第二电极连接的第二电极叉指；第一电极叉指和第二电极叉指交替间隔排列，金属块位于第一电极叉指和第二电极叉指之间，第一电极叉指或第二电极叉指包含U型结构，金属块位于U型结构内，绝缘层将第一电极和第二电极隔开，同时将第一电极叉指、第二电极叉指和金属块均隔开，U型结构内的绝缘层具有若干空洞，绝缘层材料的介电常数大于空气的介电常数。空洞内是空气，空气的介电常数比氧化物的介电常数更低，所以导致整个绝缘层的介电常数降低，从而减小了MOM电容器的电容值。
本发明授权MOM电容器及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种MOM电容器，其特征在于，包括： 绝缘层； 至少一层金属层，所述金属层嵌入所述绝缘层内，所述金属层包括金属块、第一电极、第二电极、与所述第一电极均连接的若干第一电极叉指以及与第二电极均连接的若干第二电极叉指； 其中，所述第一电极叉指和所述第二电极叉指交替间隔排列，所述金属块位于所述第一电极叉指和所述第二电极叉指之间，所述第一电极叉指或所述第二电极叉指包含若干段U型结构，并且所述金属块位于所述U型结构内，所述绝缘层将所述第一电极和第二电极隔开，同时还将所述第一电极叉指、第二电极叉指和金属块均隔开，所述U型结构内的绝缘层具有若干空洞，所述绝缘层材料的介电常数大于空气的介电常数。
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