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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210585773.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法是由艾飞;宋德伟;龙时宇设计研发完成，并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：基底；缓冲层，位于基底的一侧；所述缓冲层包括第一表面、第一倾斜面及第二倾斜面，第一倾斜面及第二倾斜面分别与第一表面的两端相连接，第一倾斜面及第二倾斜面分别相对于第一表面倾斜；及有源层，位于缓冲层上；所述有源层包括源极区、漏极区及位于源极区及漏极区之间的沟道区；所述沟道区、源极区及漏极区分别位于第一表面、第一倾斜面及第二倾斜面上；栅极，位于有源层一侧且与沟道区位置相对；源极和漏极，位于有源层一侧且分别与源极区及漏极区电连接。本申请通过TFT立体结构设计，在保证TFT物理尺寸不变的情况下，减小其占地面积，从而使得TFT整体尺寸缩小。

本发明授权阵列基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 基底； 图案化的缓冲层，位于所述基底的一侧；图案化的所述缓冲层包括第一表面、第一倾斜面及第二倾斜面，所述第一倾斜面及所述第二倾斜面分别与所述第一表面的两端相连接，所述第一倾斜面及第二倾斜面分别相对于所述第一表面倾斜；及 有源层，位于所述缓冲层上；所述有源层包括源极区、漏极区及位于所述源极区及所述漏极区之间的沟道区；所述沟道区、所述源极区及所述漏极区分别位于所述第一表面、所述第一倾斜面及所述第二倾斜面上； 栅极，位于所述有源层一侧且与所述沟道区位置相对； 源极和漏极，位于所述有源层一侧且分别与所述源极区及所述漏极区电连接； 所述第一倾斜面与所述第一表面之间的坡度角为α1，所述第二倾斜面与所述第一表面之间的坡度角为α2，所述有源层面积与所述有源层在所述基底上的投影面积之差为L1*W1*1-cosα1+L2*W2*1-cosα2，其中L1为第一倾斜面的坡长，L2为第二倾斜面的坡长，W1为第一倾斜面的宽度，W2为第二倾斜面的宽度。

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