买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利版图构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114818586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210457967.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权版图构建方法是由高唯欢设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本版图构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种版图构建方法，其用于模拟路标准单元库单元的使用环境，包括：确定衬底电位，标准单元库单元通过衬底连接单元，将衬底与设定的电位电源相连接；模拟有源区环境，在标准单元库单元上下左右均增加无电特性的有源区；模拟注入层环境，所示注入层宽度大于标准单元库单元自身的注入层；模拟栅极环境，在标准单元库单元有效栅极的上下左右方向布置无效栅极，模拟单元库上下左右拼接后的环境；模拟第一层金属环境，在标准单元库单元左右两边布置垂直悬空的第一层金属线模拟金属线环境；模拟第二层金属环境，在标准单元库单元左右两边放置垂直悬空的第二层金属线模拟金属线环境。本发明能提高标准单元库单元在特征化过程中的准确率。

本发明授权版图构建方法在权利要求书中公布了：1.一种版图构建方法，其用于模拟路标准单元库单元的使用环境，其特征在于，包括以下步骤： S1确定衬底电位，标准单元库单元通过衬底连接单元，将衬底与设定的电位电源相连接； S2模拟有源区环境，在标准单元库单元上下左右均增加无电特性的有源区； S3模拟注入层环境，所示注入层宽度大于标准单元库单元自身的注入层； S4模拟栅极环境，在标准单元库单元有效栅极的上下左右方向布置无效栅极，模拟单元库上下左右拼接后的环境； S5模拟第一层金属环境，在标准单元库单元左右两边布置垂直悬空的第一层金属线模拟金属线环境；所述垂直悬空的第一层金属线距标准单元库单元的距离为二分之一最小设计规则； 若电源线、地线不是第一层金属连线，则在标准单元库单元上下布置水平悬空的第一层金属线模拟金属线环境； S6模拟第二层金属环境，在标准单元库单元左右两边放置垂直悬空的第二层金属线模拟金属线环境；所述垂直悬空的第二层金属线距标准单元库单元的距离为二分之一最小设计规则间距； 若电源线、地线不是第二层金属连线，则在标准单元库单元上下放置水平悬空的第二层金属线模拟金属线环境。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。