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龙图腾网获悉北京京瀚禹电子工程技术有限公司西安分公司申请的专利一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114814542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210424948.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法是由姜金超;朱锟;韩碧涛;康海斌;刘伟桢设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子元器件开封技术领域，公开了一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，在X光下定位器件的芯片的位置以及鉴别键合丝的种类，确定开封方案和刻蚀区域；通过激光对器件的塑封料进行减薄；配置浓硫酸、浓硝酸和苯并三唑的混合溶液，并进行静置；通过锡纸将器件包裹起来，剥离至暴露出要开封的区域；利用预热后的加热炉对配置好的溶液进行加热；通过滴管滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域；当芯片和器件的键合丝没有完整暴露出来，继续进行滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域，直至芯片和器件的键合丝完整的暴露出来；对开封后的器件进行超声清洗。本发明操作简单，对设备要求低，试验效率高。

本发明授权一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法在权利要求书中公布了：1.一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法包括： 步骤一，在X光下定位器件的芯片的位置以及鉴别键合丝的种类，确定开封方案和刻蚀区域；通过激光对器件的塑封料进行减薄； 步骤二，配置浓硫酸、浓硝酸和苯并三唑的混合溶液，并进行静置；通过锡纸将器件包裹起来，剥离至暴露出要开封的区域； 步骤三，加热炉进行预热，利用预热后的加热炉对配置好的溶液进行加热；通过滴管滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域； 步骤四，当芯片和器件的键合丝没有完整暴露出来，继续进行滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域，直至芯片和器件的键合丝完整的暴露出来；同时对开封后的器件进行超声清洗； 所述步骤一中，通过激光对器件的塑封料进行减薄具体过程为： 通过激光对器件的塑封料进行减薄，减薄厚度至能观察到芯片的键合丝为止，键合丝的高度高于芯片，以避免损伤到芯片； 所述步骤二中，配置浓硫酸、浓硝酸和苯并三唑的混合溶液，并进行静置具体过程为： 配置浓硫酸、浓硝酸和苯并三唑的混合溶液并静置，浓硫酸和浓硝酸体积比为1:3.5，苯并三唑的浓度为1.7mgL，静置时间为5～6min，充分溶合； 所述浓硫酸和浓硝酸体积比为1:3.5，苯并三唑的浓度为1.7mgL，配合开封温度115±5℃，以共同实现铜键合引线的化学开封。

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