环球晶圆股份有限公司王上棋获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利碳化硅晶碇评估方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404522.2，技术领域涉及：G01N23/20；该发明授权碳化硅晶碇评估方法及装置是由王上棋;徐文庆;蔡佳琪;李依晴设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶碇评估方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅晶碇评估方法及装置。所述方法包括：取得碳化硅晶碇的第一芯片及第二芯片；在第一芯片上决定N个第一参考点，并取得各第一参考点的X光衍射结果；在第二芯片上决定对应于所述多个第一参考点的N个第二参考点，并取得各第二参考点的X光衍射结果；以及基于各第一参考点的X光衍射结果及各第二参考点的X光衍射结果评估碳化硅晶碇的晶碇质量。
本发明授权碳化硅晶碇评估方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶碇评估方法，其特征在于，包括： 取得碳化硅晶碇的第一芯片及第二芯片； 在所述第一芯片上决定N个第一参考点，并取得各所述第一参考点的X光衍射结果，其中N为正整数； 在所述第二芯片上决定对应于所述N个第一参考点的N个第二参考点，并取得各所述第二参考点的X光衍射结果，其中各所述第一参考点的所述X光衍射结果形成第一趋势线，各所述第二参考点的所述X光衍射结果形成第二趋势线；以及 基于各所述第一参考点的所述X光衍射结果及各所述第二参考点的所述X光衍射结果评估所述碳化硅晶碇的晶碇质量，包括： 基于各所述第一参考点的所述X光衍射结果及各所述第二参考点的所述X光衍射结果决定所述第一趋势线及所述第二趋势线的多个交叉指标数值及多个反向指标数值； 取得各所述第一参考点的衍射峰面积及各所述第二参考点的衍射峰面积，并据以决定多个衍射峰面积比较结果； 基于所述多个交叉指标数值、所述多个反向指标数值及所述多个衍射峰面积比较结果决定所述碳化硅晶碇的综合指标分数作为所述碳化硅晶碇的所述晶碇质量。
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