长江先进存储产业创新中心有限责任公司刘峻获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变材料层结构及其制备方法和相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210355441.8，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权相变材料层结构及其制备方法和相变存储器是由刘峻;杨红心;周凌珺设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变材料层结构及其制备方法和相变存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种相变材料层结构及其制备方法和相变存储器。所述相变材料层结构应用于相变存储器；所述相变材料层结构包括：第一材料层，所述第一材料层的材料为GeTe；第二材料层，所述第二材料层的材料至少包括Ga元素和Sb元素；所述第一材料层与所述第二材料层交替堆叠。
本发明授权相变材料层结构及其制备方法和相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种相变材料层结构，其特征在于，所述相变材料层结构应用于相变存储器；所述相变材料层结构包括： 第一材料层，所述第一材料层的材料为GeTe； 第二材料层，所述第二材料层的材料包括：GaSbGe或GaSb；所述第一材料层用于抑制所述第二材料层的相偏析； 所述第一材料层与所述第二材料层交替堆叠形成类超晶格结构，且所述第二材料层的层数与所述第一材料层的层数差值为0或1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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