镓特半导体科技(上海)有限公司王颖慧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210240323.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法是由王颖慧;罗晓菊;赖云设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于开口内及图形化掩膜层表面形成氮化镓晶种层，氮化镓晶种层包括晶粒区域及过生长区域，晶粒区域内的位错密度大于过生长区域内的位错密度；刻蚀氮化镓晶种层，以将位于晶粒区域的氮化镓晶种层去除；形成厚膜氮化镓层，厚膜氮化镓层填满开口并覆盖保留的氮化镓晶种层。本发明提供的半导体结构的制备方法，在去除部分或全部晶粒区域的氮化镓晶种层之后，再进行横向外延生长以形成厚膜氮化镓层，这样能够提高厚膜氮化镓层的晶体质量，同时，还有助于厚膜氮化镓层剥离。
本发明授权半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底的表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有若干个开口； 于所述开口内及所述图形化掩膜层背离所述衬底的表面形成氮化镓晶种层，所述氮化镓晶种层包括位于所述开口内的晶粒区域及位于所述图形化掩膜层背离所述衬底的表面的过生长区域，所述晶粒区域内的位错密度大于所述过生长区域内的位错密度； 采用氯化氢刻蚀所述氮化镓晶种层，以将位于所述晶粒区域的所述氮化镓晶种层完全去除，或使得所述氮化镓晶种层位于所述晶粒区域的厚度小于所述氮化镓晶种层位于所述过生长区域的厚度；所述氯化氢对所述晶粒区域的腐蚀速率大于其对所述过生长区域的腐蚀速率； 以所述过生长区域的所述氮化镓晶种层为晶种形成厚膜氮化镓层，所述厚膜氮化镓层填满所述开口并覆盖保留的所述氮化镓晶种层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人镓特半导体科技(上海)有限公司，其通讯地址为：200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励